Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Poster I
HL 11.41: Poster
Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z
Grenzflächenzustände in invertiert halbleitenden HgTe/HgCdTe-Übergittern — •A. Pfeuffer-Jeschke, M. von Truchsess, V. Latussek, C.R. Becker, E. Batke und G. Landwehr — Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg
Übergitter aus dem Halbmetall HgTe und dem Halbleiter Hg0.32Cd0.68Te gehören zu den hochinteressanten Typ–III–Heterostrukturen. In diesem Typ ist die Ausbildung von Grenzflächenzuständen möglich, deren Aufenthaltswahrscheinlichkeit an den Grenzflächen maximal wird. Wir vergleichen hier theoretische und experimentelle Ergebnisse zu Interbandübergängen zwischen Grenzflächenzuständen und Zuständen im Leitungsminiband für invertiert halbleitende Übergitter. Die Rechnungen zur Deutung magnetooptischer Ergebnisse wurden im Rahmen eines 8-Band-kp-Modells durchgeführt. Die experimentell beobachtete und äußerst ungewöhnliche negative Magnetfelddispersion dieser Interbandübergänge bei niedrigen Magnetfeldstärken läßt sich theoretisch gut erklären. Wir diskutieren im Detail Landau-Niveaus, Übergangsenergien, Dipolmatrixelemente und Eigenvektoren der Grenzflächenzustände.