Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.47: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Thermische Stabililität von BeTe/ZnSe-Heterostrukturen — •M. Strassburg¹, M. Kuttler¹, U.W. Pohl¹, D. Bimberg¹, H.J. Lugauer², A. Waag² und G. Landwehr² — ¹Institut für Festkörperphysik, TU-Berlin — ²Experimentelle Physik III, Universität Würzburg

Be-haltige II-VI-Verbindungshalbleiter werden derzeit intensiv studiert, um blaugrüne II-VI-Halbleiterlaser mit geringerer Degradation herzustellen. Über die thermische Stabilität Be-haltiger II-VI-Schichtsysteme existieren bislang keine Informationen. Mittels Sekundärionenmassenspektroskopie (SIMS) erfolgten erste Untersuchungen zur Diffusion des Be in BeTe/ZnSe-Übergittern und Quantum Wells unter verschiedenen Temperbedingungen (Zn-, H₂-Atmosphäre, Si₃N₄-Cap). Die SIMS-Messungen der unbehandelten Proben zeigen eine Akkumulation von Be und Zn an den Heterostruktur-Grenzflächen. Insbesondere an den Zn-terminierten Grenzflächen kommt es zu starken Be-Anreicherungen. Nach Temperaturbehandlungen im Temperaturbereich 420^oC - 500^oC beginnt Be zu diffundieren. Derzeitige Ergebnisse lassen darauf schließen, daß je nach Temperbehandlung Diffusion der Gruppe-II-Elemente über Zwischengitterplätze oder über Gitterplätze induziert wird.