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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.48: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

In situ Messung der Zn-Desorption von einer GaAs (100) 2x4 Oberfl"ache — •C. Schumacher, W. Spahn, A. Gerhard, W. Faschinger, and G. Landwehr — Universit"at W"urzburg, Physikalisches Institut, Experimentelle Physik III, Am Hubland, 97074 W"urzburg

Die Haftung von Zn auf einer GaAs-Oberfl"ache ist beim Wachstum von ZnSe-Laserdioden von gro"ser Bedeutung, da durch eine Zn-Bedampfung vor dem Wachstumsstart die Dichte von ausgedehnten Defekten reduziert werden kann [1].

Bei in situ Messungen wurde die GaAs-Oberfl"ache nach einer definierten Wartezeit im Anschlu"s an die Zn-Bedampfung einem Se-Flu"s ausgesetzt, da hierdurch das schwach haftende Zn fixiert werden kann. Se zeigt sowohl zu GaAs als auch zu Zn eine ausgepr"agte Haftung. Somit wurden reproduzierbare XPS-Messungen m"oglich. Zur Kontrolle dieser ”quasi in situ” Methode wurde die Zn-Desorption auf der GaAs-Oberfl"ache zus"atzlich mittels Ellipsometrie untersucht.

Durch die Zn-Bedampfung der GaAs-Oberfl"ache wird die Elektronendichte an der GaAs-Oberfl"ache ver"andert, was mittels Ellipsometrie detektiert werden kann. Die hieraus ermittelten Zeitkonstanten sind mit denen aus XPS-Messungen vergleichbar.

[1] S. Saito et. al., Effect of GaAs buffer surface reconstruction and the initial growth stage of ZnSe on ZnSe defect density, International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba University, Japan, M"arz 1996, S. 66