Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.49: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Hochaufgelöste Röntgenbeugung bei hohen und tiefen Temperaturen — •R.J. Hellmig, H.R. Reß, T. Gerhard, W. Spahn, W. Faschinger und G. Landwehr — Physikalisches Institut, Lehrstuhl für Experimentelle Physik III, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg

Die beiden Materialsysteme ZnSe/GaAs und HgSe/ZnTe wurden mittels hochaufgelöster Röntgenbeugung in einem Temperaturbereich von 77 K bis zu 670 K untersucht. Das Materialsystem HgSe/ZnTe weist bei Raumtemperatur eine durch stark unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten bedingte Verspannung auf. Diese läßt sich auch nach wiederholten Temperzyklen reproduzieren. Eine einfache Beschreibung liefert ein auf der makroskopischen Elastizitätstheorie basierendes Modell. Übereinstimmungen sowie Abweichungen von diesem einfachen Modell werden diskutiert.

An pseudomorphen ZnSe–Schichten mit einer Dicke oberhalb der kritischen Schichtdicke wurde das thermisch induzierte Relaxationsverhalten studiert. Daraus läßt sich die thermische Stabilität der mittels MBE hergestellten Halbleiterheterostrukturen abschätzen.