Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Poster I
HL 11.52: Poster
Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z
Bestimmung der Gitterparameter von Be-Chalkogeniden — •R. Gall, S. Gundel, T. Litz, T. Gerhard, W. Faschinger und G. Landwehr — Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Experimentelle Physik III, Am Hubland, D-97074 Würzburg
Be-Chalkogenide werden zur Herstellung hochqualitativer Epitaxieschichten für optoelektronischen Bauelementen benutzt.[1] Im Gegensatz zu anderen II-VI Materialien hat die Kristallbindung von BeTe und BeSe einen stark kovalenten Charakter. Zur Herstellung von ternären und quaternären Schichten in Halbleiter-Bauelementen ist die Kenntnis der Materialparameter der binären Komponenten BeTe und BeSe unerläßlich. Mittels hochaufgelöster Röntgenbeugung wurden die Gitterkonstanten von BeSe und BeTe bestimmt. Aus dem Relaxtionsverhalten kann das Verhältnis der elastischen Konstanten c11 und c12 bestimmt werden.
Die selben Parameter lassen sich durch LDA-Rechnungen gewinnen. Die Ergebnisse zeigen eine gute Übereinstimmung mit dem Experiment.
[1] A. Waag, F. Fischer, H. Lugauer, T. Litz, J. Laubender, U. Lunz, U. Zehnder, W. Ossau, T. Gerhard, M. Möller, and G. Landwehr J.Appl. Phys. 80(6), 15 July (1996)