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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.55: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Optimierung der ZnSe/GaAs-Substrat Grenzfl"ache durch Substratvorbehandlung — •W. Taudt, A. Hardt, J. M"uller, H. Hamadeh, and M. Heuken — Institut f"ur Halbleitertechnik, RWTH-Aachen, Templergraben 55, 52056 Aachen

F"ur auf ZnSe-basierende optoelektronische Bauelemente mu"s eine optimierte Grenzschicht zum Substrat vorhanden sein, da es sonst verst"arkt zu Degradationseffekten kommt. Um eine Optimierung bei 100 nm dicken ZnSe-Schichten, die mit der Metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) hergestellt wurden, zu erreichen, sind die entsprechenden GaAs-Substrate verschieden lang mit Schwefels"aure und Flu"ss"aure behandelt worden. Zus"atzlich wurden im MOVPE-Reaktor neben einer konstanten Vortemperung bei 500^∘C Vorstabilisierungen mit Diterti"arbutylselen bzw. mit Dimethylzink-triethylamin oder mit einem Wasserstoffplasma ausgef"uhrt. Danach erfolgte die Abscheidung der d"unnen ZnSe-Schichten. Die Proben wurden mit verschiedenen Untersuchungsmethoden wie Photolumineszenz, Rasterelektronenmikroskopie, AFM und R"ontgenuntersuchungen analysiert. W"ahrend die Morphologie nur leicht von der Stabilisierung abhing, ergaben sich deutliche Verbesserungen der optischen und der kristallographischen Qualit"at bei einer Selenstabilisierung. W"ahrend bei einer Zink bzw. Wasserstoff-Plasma-Stabilisierung tiefe Zentren in den PL-Spektren dominieren, ergab sich f"ur die Selenstabilisierung eine deutliche reduzieren dieser St"orstellenlumineszenz. Die Morphologie variierte nur leicht, zeigt aber im REM-Ma"sstab verschiedene Strukturen.