Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.56: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Berechnung struktureller Eigenschaften von II-VI-Halbleitern und Oberflächen mit ab-initio-Simulationen — •S. Gundel¹, W. Spahn¹, A. Kley², W. Faschinger¹ und G. Landwehr¹ — ¹Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg — ²Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin (Dahlem)

Ab-initio-Rechnungen zu strukturellen Eigenschaften von II-VI-Halbleitern und Halbleiter-Oberflächen wurden mit Hilfe des Programmpakets fhi96md [1] des Fritz-Haber-Instituts zu Berlin durchgeführt. Zunächst wurden mehrere Pseudopotentiale erzeugt und die elastischen Konstanten C₁₁ und C₁₂ für eine Reihe von binären II-VI-Halbleitern berechnet, um die Validität der Pseudopotentiale zu ermitteln. Weiterhin wurden die Oberflächenenergien für mehrere ZnSe(001)-Oberflächen bestimmt und die Adsorption von As und Ga auf den jeweils stabilsten Oberflächen untersucht. Im Fall der Zn-terminierten Oberfläche wurde die thermische Desorption von As bei mehreren Temperaturen mit XPS gemessen. Theoretische und experimentelle Ergebnisse werden in einem einfachen Modell miteinander verglichen.

[1] M. Bockstedte, A. Kley und M. Scheffler, Comp. Phys. Commun., zur Veröffentlichung eingereicht