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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.57: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Pd- (N, P, As)- Defektkomplexe in II-VI-Halbleitern — •S. Hermann¹, H.-E. Mahnke¹, B. Spellmeyer¹, M. Wienecke², B. Reinhold², R.A. Yankov³ und H.-E. Gumlich⁴ — ¹HMI Berlin GmbH, 14109 Berlin — ²HU Berlin, 10099 Berlin — ³FZ Rossendorf, 01314 Dresden — ⁴TU Berlin, 10623 Berlin

Mit den Methoden PAC , Tracer-Diffusion, sowie C-V- und DLTS-Messungen wurden Bildung und Eigenschaften von Pd- Defektkomplexen in N, P oder As dotiertem ZnTe und CdTe untersucht. Dazu wurden instabile ¹⁰⁰Pd-Atome am Ionenstrahllabor ISL des HMI über eine Kernreaktion erzeugt und mittels Rückstoßimplantation in die Proben eingebracht. Die Proben wurden am FZ Rossendorf vordotiert. Ohne Dotierung war auf diese Weise bislang nur für ZnTe mit Te- Überschuß ein wohldefinierter Pd-Defektkomplex beobachtet worden, der mit der Anlagerung einer Metalleerstelle erklärt wird (A-Zentrum). In vordotiertem ZnTe und CdTe wurden nunmehr sowohl bei tellurreichen als auch bei metallreichen Proben wohldefinierte Defektkomplexe beobachtet, deren Bildung in Abhängigkeit von der Temperatur untersucht wurde.