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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.59: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Charakterisierung von MOCVD gewachsenen ZnSe/ZnSSe und ZnCdSe/ZnSSe Übergittern — •R. Engelhardt, M. Strassburg, M. Kuttler, U.-W. Pohl und D. Bimberg — Institut für Festkörperphysik, Techn. Univ. Berlin, Hardenbergstr.36, D-10623 Berlin

Die Schärfe der Grenzflächen von optoelektronischen Bauelementen mit (Zn,Cd)Se - Quantengrabenstrukturen wird im wesentlichen von der Cd-Interdiffusion bestimmt. Insbesondere sind scharfe Grenzflächen für einen Übergang von zwei- auf nulldimensionale Quantenstrukturen unabdingbar. Vorgestellt werden Wachstumsuntersuchungen von pseudomorph gewachsenen ZnSe/ZnSSe und ZnCdSe/ZnSSe Übergittern, die mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOCVD) auf GaAs(001) abgeschieden wurden. Anhand von Röntgenbeugungsuntersuchungen am (004)-Reflex in Verbindung mit SIMS-Messungen lassen sich Aussagen über den Einfluß von VI-II Verhältnis, Wachstumsunterbrechung und -temperatur auf die Grenzflächenschärfe der Übergitterstrukturen treffen. Es kann gezeigt werden, daß die Reduzierung des Se/Zn-Verhältnisses beim Wachstum zu einer Unterdrückung des Diffusionsmechanismus des Cd über die Zn-Leerstellen [1] und somit zu scharf begrenzten ZnCdSe Quantengräben führt.

[1] M. Kuttler et al., Appl. Phys. Lett. 69(6), 2647 (1996)