Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Poster I
HL 11.6: Poster
Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z
Herstellung und Charakterisierung von PIN-Photodiode und PJBT für ein monolithisch integriertes Empfänger-Frontend auf GaAs-Basis — •F. Dillmann1, A. Brennemann2, M. Marso1, Th. Korst1, P. Kordoš1, H. Lüth1 und F.J. Tegude2 — 1Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich — 2Fachbereich 9/HLT, Uni/GH Duisburg, D-47048 Duisburg
Ein zentrales Bauelement in der optischen Nachrichtentechnik stellt das Empfänger-Frontend, bestehend aus einem optoelektrischen Wandler und einer Verstärkerstufe, dar. In unserer Arbeit wird erstmals die Kombination einer PIN-Photodiode mit einem vertikalen, Permeable Junction Base Transistor (PJBT) untersucht. Für beide Komponenten wird ein identischer Schichtaufbau auf GaAs-Basis verwendet, so daß eine gleichzeitige Herstellung erfolgen kann. Erste Messungen an PIN-Photodioden mit einer 200nm dicken Absorptionsschicht zeigen Quanteneffizienzen von 20% bei einer Wellenlänge von 0.8µm. Die Transistoren mit einem epitaktisch gewachsenen Gate aus hoch p-dotiertem GaAs weisen Steilheiten von 100mS/mm auf. Eine erste Charakterisierung am integrierten Frontend ergab eine Steigerung der responsivity um den Faktor 20 gegenüber dem einzelnen PIN-Detektor. Aufgrund erster Hochfrequenzmessungen scheint nach Optimierung des Layouts und der p-Dotierung die Realisierung eines Receivers mit einer Übertragungsrate von 10Gbit/s möglich zu sein.