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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.61: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Untersuchungen zur Phasenstabilit"at von CdS/GaAs(001) Epitaxieschichten — •A. Dinger¹, W. Petri¹, C. Maerkle¹, M. Hetterich¹, S. Petillon¹, M. Gr"un¹, C. Klingshirn¹, J. T"ummler², and J. Geurts² — ¹Institut f"ur Angewandte Physik, Universit"at Karlsruhe, D–76128 Karlsruhe — ²I. Physikalisches Institut, RWTH Aachen, D–52056 Aachen

Die thermodynamisch stabile Phase von CdS ist die Wurtzitstruktur. Durch epitaktisches Wachstum auf ein (001)–orientiertes Substrat ist es m"oglich, der Schicht die metastabile Kristallisationsform, d. h. die Zinkblendestruktur, aufzupr"agen. Auf Grund der Polytypie von CdS ist es jedoch fraglich, ob in diesem Fall eine phasenreine Struktur vorliegt.

Es wird gezeigt, da"s durch lineare optische Spektroskopie die Phasenreinheit von CdS/GaAs(001)–Epitaxieschichten bestimmt werden kann. Die optischen Eigenschaften von Filmen, die eine rein kubische Kristallstruktur zeigen und jene, die ein Phasengemisch aufweisen sowie solche, bei denen im Laufe des Wachstums ein Phasenumschwung zur hexagonalen Kristallisationsform stattgefunden hat, werden diskutiert. Im konsistenter Weise zeigen die verwendeten Me"smethoden (Raman, Lumineszenz, Reflexion und Absorption), da"s die Bandl"ucke der kubischen Modifikation deutlich unterhalb jener der hexagonalen liegt. Desweiteren wurden erstmals an CdS/GaAs(001)–Filmen mittels resonanter Ramanstreuung Inteferenzerscheinungen zwischen verschiedenen Streumechanismen des LO–Phonon–Signals nachgewiesen.