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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.64: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Rasterkraftmikroskopie an InGaAs/InP Quantenstrukturen
auf strukturierten Substraten — •D. Wüllner¹, P. Bönsch¹, H.-H. Wehmann¹, A. Schlachetzki¹, S. Kipp² und R. Lacmann² — ¹Institut für Halbleitertechnik, Technische Universität Braunschweig, Hans-Sommer-Str. 66, D-38106 Braunschweig — ²Technische Universität Braunschweig, Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, Hans-Sommer-Str. 10, D-38106 Braunschweig

Für die Untersuchung des Kristallwachstums auf strukturierten Substraten und für den Nachweis von Quantendrähten ist es erforderlich, die geometrischen Abmessungen der gewachsenen Strukturen ermitteln zu können. Hierfür verwenden wir die Rasterkraftmikroskopie im Kontakt-Modus an Luft. Dieses Verfahren zeichnet sich durch geringen präparativen Aufwand und kurze Meßzeiten aus. Zur Sichtbarmachung der Strukturen muß auf der Spaltfläche ein Materialkontrast zwischen InGaAs und InP erzeugt werden. Dieses wird durch selektives Ätzen bzw. anodische Oxidation realisiert. Die Kalibration des Rasterkraftmikroskops wurde an Heteroepitaxie-Schichten auf planaren Substraten durchgeführt, deren Schichtdicken mit Hilfe der Röntgendiffraktometrie bzw. der mechanischen Oberflächenabtastung an einem Schrägschliff ermittelt wurden.