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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.65: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Modellbeschreibung der Ballistischen Elektronen-Emissions Mikroskopie — •R. Menegozzi¹, P.-G. Reinhard² und M. Schulz¹ — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen, D-91058 Erlangen — ²Institut für Theoretische Physik II, Universität Erlangen, D-91058 Erlangen

Mit Ballistischer Elektronen-Emissions Mikroskopie wurden an Au/Si-Schichtsystemen um Faktor 2 unterschiedliche Kollektorströme gemessen [1], [2]. Um diese Abweichungen zu verstehen, wurde ein umfassendes dreidimensionales Modell entwickelt. Die Injektion der Elektronen aus der STM-Spitze in den Metallfilm wird durch eine aus der planaren Tunneltheorie gewonnenen Anfangsverteilung der Impulse an der Oberfläche modelliert. Die Bandstrukturen von Gold und Silizium werden in der Effektiven-Masse Näherung beschrieben. Der quantenmechanische Transmissionskoeffizient wird in seiner vollen dreidimensionalen Energie- und Winkelabhängigkeit berücksichtigt. Der Transport der heißen Elektronen durch den Goldfilm wird durch eine Monte-Carlo Simulation mit Elektron-Elektron- und Elektron-Phonon-Streuung behandelt. Es konnte gezeigt werden, daß die exp. Daten [1] bzw. [2] sich durch die Grenzflächeneigenschaften Querimpulserhaltung bzw. diffuse Streuung unterscheiden.

[1] L. J. Schowalter, E. Y. Lee, Phys. Rev. B 43, 9308 (1991)

[2] C.Manke et al., Appl. Surf. Sci. (1997)