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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.66: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Untersuchuchung von II-VI/III-V-Halbleiterheterostrukturen und optoelektronischen Bauelementen mittels Rasterkraft- und Elektronenmikroskopie — •R. Ebel, W. Spahn, J. Nürnberger, M. Ehinger, W. Faschinger und G. Landwehr — Institut für Experimentelle Physik III, Am Hubland, Universität Würzburg

GaAs bietet sich aufgrund der geringen Gitterfehlanpassung als Substratmaterialfür das Wachstum von auf ZnSe basierenden Heterostrukturen und Lasern an. Dabei spielt der Wachstumsstart für die Versetzungsdichten und damit für die Lebensdauer von optoelektronischen Bauelementen eine entscheidende Rolle. Mittels Rasterkraftmikroskopie wurde der Einfluß verschiedener Oberflächenterminierungen der GaAs-Oberfläche vor dem Wachstumsstart auf die Oberflächenrauhigkeit der Heterostrukturen untersucht.
Versetzungen wurden mit dem Rasterkraft- und dem Rasterelektronenmikroskop beobachtet und identifiziert. Der Wachstumsmodus direkt nach dem Start ist entscheidend für die Art der auftretenden Versetzungen.
Darüberhinaus wurden die Auswirkungen der einzelnen technologischen Schritte, denen ein Halbleiterlaser unterzogen werden muß, mittels Rasterelektronenmikroskopie und Kathodolumineszenz untersucht.