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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.7: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Analyse des Lochtransports in rein optischen InGaAs(P)/InP Schaltstrukturen — •T. Riedl, C. Knorr, E. Fehrenbacher, D. Ottenwälder, M. Geiger, F. Scholz und A. Hangleiter — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart

Es wurden rein optische Quanten–Confined–Stark–Effekt (QCSE) Modulatoren im InGaAs(P)/InP–Materialsystem untersucht. Dabei handelt es sich um pin–SCMQW–Strukturen, bei denen im intrinsischen Bereich eine zusätzliche Transportbarriere eingefügt wurde, um optisch generierte Ladungsträger gezielt zu lokalisieren. Eine auf diese Weise akkumulierte Raumladung kann das elektrische Feld im MQW–Bereich erhöhen und über den QCSE die Absorptionseigenschaften der Struktur verändern. Im betrachteten Materialsystem wirkt sich diese Barriere im wesentlichen auf den Lochtransport aus. Mittels MOVPE wurden Proben mit unterschiedlicher Dicke und Höhe dieser Barriere hergestellt. Sie wurden zu Mesadioden ( ø ≈ 300 µ m) mit ohmschen Kontakten prozessiert. An diesen Proben wurden temperatur– und feldabhängig sowohl statische als auch zeitaufgelöste Messungen durchgeführt, von denen ausgehend Lochtransportzeiten bestimmt wurden. Die Ergebnisse werden mit einem numerischen Transportmodell ve rglichen, das thermisch assistiertes Tunneln von schweren und leichten Löchern berücksichtigt.