Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Poster I
HL 11.72: Poster
Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z
Fernfeldmessung an epitaktisch gewachsenen II-VI-Wellenleiterstrukturen — •C. Wendt1, P. Michler1, W. Ebeling1, J. Gutowski1, M. Beringer1, D. Hommel1, G. Eisert2 und D. Bacher2 — 1Institut fuer Festkörperphysik,Universität Bremen, Kufsteiner Str., D-28359 Bremen — 2Technische Physik,Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg
Die Wellenführung in optoelektronischen Bauelementen wird
untersucht. Dazu wird Laserlicht direkt oder ueber ein Prisma
in den Wellenleiter eingekoppelt und die Fernfeldintensität
aufgenommen. Aus einer Anpassung theoretischer Nahfelder an
die Messung können Brechungsindizes und Schichtdicken des
Wellenleiters bestimmt werden. Die Eindeutigkeit der Anpassung
wird analysiert.
Erste Messungen bei λ = 514.5 nm an einer 20 µm
breiten Zn0.8Cd0.2Se/ZnS0.06Se0.94/
Zn0.85Mg0.15S0.27Se0.73 - Streifenlaserstruktur
mit 5x 5 nm Zn0.8Cd0.2Se - Quantenfilmen ergaben fuer
die quaternären Deckschichten den Brechungsindex
n(Zn0.85Mg0.15S0.27Se0.73) = 2.52 bei einer
Ausbreitungskonstanten β = 0.032 nm−1 für die 0.
Mode. Daraus berechnet sich ein günstiger, optischer
Einschlußfaktor Γ = 12.3 % des Wellenleiterfeldes
mit den Quantenfilmen.
Hiervon unabhängig werden die Ausbreitungskonstanten des
Wellenleiters mittels Prismenauskopplung bestimmt. Diese werden
mit denjenigen, welche aus der Fernfeldmessung berechnet wurden,
verglichen.