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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.73: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Halbleiterlaser unter gleichzeitiger Anwendung hydrostatischen und uniaxialen Druckes — •F. Widulle¹, T. Held¹, A. Adams², R. Kotitschke², G. Strehl³, M. Pietralla¹ und H.D. Hochheimer⁴ — ¹Universität Ulm — ²Univ. of Surrey — ³FH Regensburg — ⁴Colorado State University

“Strained Layer“-Schichten mit eingebauter biaxialer Spannung bieten Optimierungsmöglichkeiten für Halbleiterlaser. Während beim “Lattice Matching“ die Gitterkonstanten der Schichten nahe beieinander liegen müssen, können bei “Strained Layer“-Lasern auch Schichten aufgewachsen werden, deren Gitterkonstanten sich deutlich von der des Substratmaterials unterscheiden, solange die dabei entstehende Verzerrung elastisch bleibt. Durch Anwendung äußeren uniaxialen Druckes kann die Spannung innerhalb der Schichten variiert werden, ohne dabei die Zusammensetzung der Legierung ändern zu müssen. Untersucht wurde, wie sich die Spannung auf die Eigenschaften des Lasers auswirkt. Anwendung hydrostatischen Druckes stimmt die Wellenlänge des Lasers durch und die Wellenlängenabhängigkeit von nichtstrahlenden Rekombinationsprozessen wie z.B. Augerrekombination läßt sich studieren. Bei gleichzeitiger Anwendung beider Verfahren kann die hydrostatische Komponente des uniaxialen Druckes eliminiert und der Einfluß der rein uniaxialen Komponente separiert werden. Vorgestellt wird eine neuartige Hochdruckzelle für solche kombinierten Messungen und erste Ergebnisse.