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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.75: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Laserdesorption von Halbleiter–Oberflächen — •T. Bobek, S. Facsko, C. Trappe und H. Kurz — Institut für Halbleitertechnik, Lehrstuhl II, RWTH Aachen

Ein Laserpuls von 20 ps Dauer regt die Emission neutraler Atome und Moleküle von einer Festkörperoberfläche an. Ein zweiter, zeitverzögerter Puls passiert die Oberfläche parallel und ionisiert einen Teil der sich ins Vakuum ausbreitenden Teilchen. Diese werden in einem Flugzeitmassenspektrometer nachgewiesen. Die Desorptionswolke ist Maxwell–Boltzmann verteilt und kann durch Variation der Höhe und Verzögerungszeit des zweiten Pulses abgetastet werden.

Die Abhängigkeit der Anzahl der gestarteten Teilchen sowie der Temperatur von der Desorptionsfluenz wird auf Verbundhalbleitern (GaAs, InP, u.a.) und Elementhalbleitern (Si, Ge) untersucht und mit Simulationsrechnungen für verschiedene theoretische Modelle verglichen.

Besonders bei Verbundhalbleitern erfolgt die Desorption nicht rein thermisch, sondern wird durch das lasergenerierte eh–Plasma erhöht.