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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.76: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Beiträge von Oberflächenresonanzzuständen zu STM Aufnahmen am Beispiel von (110) Oberflächen von III-V Halbleitern — •B. Engels, P. Richard, K. Schroeder, S. Blügel, Ph. Ebert und K. Urban — Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich

Spannungsabhängige Rastertunnelmikroskopieaufnahmen (STM) von (110) orientierten III–V Halbleiteroberflächen werden verglichen mit theoretisch berechneten STM Bildern auf der Basis der Tersoff–Hamann Approximation [1]. Grundlage ist die elektronische und atomare Struktur der Halbleiteroberflächen, die mittels der ab initio Molekulardynamik–Pseudopotentialmethode auf der Basis der Dichtefunktionaltheorie in der lokalen Dichtenäherung berechnet wurden. Der Vergleich ermöglicht die Einbeziehung von Oberflächenresonanzen in die Erklärung spannungsabhängiger Details der STM–Aufnahmen von InP, GaP und GaAs(110). Wir zeigen, daß die Aufnahmen der besetzten Zustände durch einen Oberflächenzustand (klassisches “dangling bond” Bild) dominiert werden. Darüber hinaus können spannungsabhängige Details durch Oberflächenresonanzen (“back bonds”) erklärt werden. Im Gegensatz dazu werden die STM Bilder der unbesetzten Zustände von Oberflächenresonanzen dominiert. Lediglich bei sehr kleinen Tunnelspannungen bestimmt der unbesetzte “dangling bond” die STM Bilder.

[1] T. Tersoff and D. R. Hamann, Phys. Rev. B. 31, 805 (1985).