Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.77: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Spektroskopische Ellipsometrie an atomar glatten H-terminierten, atomar rauhen und oxidierten Si(111)- und (100)- Oberflächen — •M. Rebien, H. Angermann und W. Henrion — Hahn-Meitner-Institut, Abt. Photovoltaik, Rudower Chaussee 5, 12489 Berlin

Die immer höhere Integration in der Si-Technologie erfordert die Beherrschung der Grenzflächeneigenschaften bis in den atomaren Bereich. Hierbei kann die Spektroskopische Ellipsometrie (SE) als äußerst empfindliche Methode zur Messung von Oberflächenbelegungen bis in den Sub-Monolagen-Bereich dienen.
Unter Verwendung von HF- und NH₄F-haltigen Lösungen wurden (111)- orientierte Wafer präpariert, bei denen eine atomar glatte, H-terminierte Oberfläche mittels SE nachgewiesen werden konnte.
Das Wachstum von natürlichem Oxid in heißem deionisiertem Wasser wurde ex-situ verfolgt.
An kurzzeitig in HF-Lösung geätzten Wafern ließ sich durch SE eine Rauhigkeit der Oberfläche von einigen Å gut nachweisen. In Abhängigkeit von der Ausgangsrauhigkeit ergibt sich anschließend ein unterschiedliches Oxidationsverhalten an Luft.