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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Poster I
HL 11.78: Poster
Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z
Herstellung und Charakterisierung der Si(111)(4×4)-S Oberfläche — •Th. Hahn, H. Metzner, J. H. Bremer, and Chr. Schmiga — II. Physikalisches Institut der Universit"at G"ottingen, Bunsenstra"se 7-9, 37073 G"ottingen, Germany
Die Terminierung von Silizium-Oberfl"achen mittels Schwefels ist insbesondere f"ur die Heteroepitaxie von II-VI und I-III-VI2 Halbleitern von Bedeutung. Wir haben deshalb einen Hochtemperaturproze"s zur Schwefelterminierung von Silizium entwickelt. Im Falle der Si(111) Oberfl"ache finden wir mittels der Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED) und der Augerelektronenspektroskopie (AES) eine neue, geordnete Oberfl"ache des Schwefeladsorbats. Die als (4×4) "Uberstruktur identifizierte S/Si(111) Oberfl"ache wird erfolgreich zur Epitaxie tern"arer Verbindungshalbleiter eingesetzt [1]. Die Anwendung des entwickelten Hochtemperaturprozesses auf die Si(100)(2×1)-Oberfläche wird diskutiert.
[1] H. Metzner, Th. Hahn, J. H. Bremer, and J. Conrad,
Appl. Phys. Lett.
69, 1900 (1996).