Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.80: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Photoemissionsspektroskopie an Se-modifizierten Metall/
GaAs(100) Schottky-Kontakten — •St. Hohenecker¹, A. Patchett¹, D. Drews¹, S. Morley¹, W. Braun² und D.R.T. Zahn¹ — ¹Institut für Physik, Professur für Halbleiterphysik, Technische Universität Chemnitz, D-09107 Chemnitz — ²BESSY mbH, Lentzeallee 100, D-14195 Berlin

An im Ultrahochvakuum (UHV) präparierten Metall/Se/GaAs(100)-Grenzflächen wurde Rumpfniveauspektroskopie mit Synchrotronstrahlung am TGM2 Strahlrohr bei BESSY durchgeführt. Die mit amorphem As gecappten GaAs(100)-Proben wurden im UHV durch Heizen auf 480^∘C decappt, wobei sich eine c(4x4) rekonstruierte Oberfläche ausbildet. Die Untersuchung der bei Raumtemperatur mit Se bedampften und anschließend bei 480^∘C getemperten Oberfläche zeigte, daß eine Se-As-Austauschreaktion und ein Rückgang der Bandverbiegung an der Halbleiteroberfläche stattfand. Die so präparierten Oberflächen wurden dann in jeweils mehreren Schritten mit verschiedenen Metallen (Ag, Au, In und Sb) bedampft, wobei die Schichtdicke mit einer Quartzwaage kontrolliert wurde. Die Photoemissionsspektren deuten darauf hin, daß sich mit Ausnahme von Indium ein nichtreaktiver Schottky-Kontakt ausbildet.