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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.82: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Rasterkraftmikroskopische Untersuchungen von MBE-gewachsenen GaAs(100 )-Oberflächen — •T. Zacher, T. Franke, W. Naumann und M. Harsdorff — Universität Hamburg, Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg

Es wurde GaAs mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf GaAs(100)-Substraten abgeschieden. Die Wachstumstemperatur wurde zwischen 550^∘C−620^∘C und die anschließende Erholzeit zwischen 0 und 10 min. variiert. Weiterhin wurden nicht fehlorientierte und 1^∘-fehlorientierte Substrate verwendet.

Die AFM-Untersuchungen ergeben eine Abhängigkeit der Stufen- und Inseldichten von den Wachstumsparametern. Hier deutet sich z.B. ein exponentieller Zusammenhang zwischen der RMS-Rauigkeit der Oberflächen und deren Erholzeiten an.

Die Auflösung einzelner Inseln und die Analyse ihrer Geometrien bezüglich kristallographischer Richtungen ermöglicht eine systematische Charakterisierung des Inselwachstums in Abhängigkeit von Wachstumstemperatur und Erholzeit.