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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.83: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Reflexionselektronenmikroskopische Untersuchungen an MBE-gewachsenen GaAs(100)-Oberflächen — •P. Kreutzer, T. Franke und M. Harsdorff — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg

Es wurde GaAs mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf GaAs(100)-Substraten abgeschieden. Beim Wachstum und dem anschließenden Tempern unter Arsengegendruck wurde die RHEED-Spekularstrahlintensität beobachtet. Die Proben wurden dann mit der Methode der Reflexionselektronenmikroskopie untersucht. Dieses Verfahren ermöglicht eine großflächige Abbildung der Oberfläche bei gleichzeitiger Auflösung von monomolekularen Stufen und Inseln.
Bei nicht fehlorientierten Substraten zeigte sich eine deutliche Abhängigkeit der Stufen- und Inseldichte von der Substrattemperatur beim Wachstum und Tempern: Die Stufenabstände wurden zu höheren Temperaturen hin größer. Bei niedrigeren Temperaturen ließen sich kleine Inseln zwischen den Stufen beobachten, deren Dichte mit zunehmender Temperatur abnahm. Diese Abhängigkeiten konnten für 1^∘ fehlorientierte Proben nicht bestätigt werden; die Stufendichte blieb hier bei allen Temperaturen etwa gleich. Ferner wurde bei nicht fehlorientierten Proben die Dauer des Temperns variiert: Bei kürzerem Tempern ergaben sich deutlich größere Stufen- und Inseldichten.