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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.85: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Au auf MBE-GaAs(100): Elektronische Struktur und morphologische Eigenschaften — •F. Herrmann, H. Bluhm, T. Franke und M. Harsdorff — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg

Dünne Au-Aufdampfschichten bis zu 0,6nm auf unterschiedlich terminierten, MBE-gewachsenen GaAs(100)-Oberflächen wurden in-situ mit Elektronenbeugung (LEED), röntgen- und ultraviolettangeregter Elektronenspektroskopie (XPS, UPS) sowie ex-situ mit Rasterkraftmikroskopie (AFM) untersucht. Es zeigt sich eine starke Abhängigkeit des Verhaltens der elektronischen Struktur, insbesondere im Hinblick auf band bending-Prozesse, von der jeweils die Oberfläche bestimmenden obersten Ga- oder As-Lage. Die Beobachtungen stehen in engem Zusammenhang mit der Morphologie des Metall-Films und erlauben eine schlüssige Interpretation. Weiterhin werden Ergebnisse über die chemischen Bindungsverhältnisse und die Ausbildung der metallischen Eigenschaften der Halbleiteroberfläche vorgestellt und diskutiert.