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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.88: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Transfer ballistischer Elektronen durch Au-Filme auf Si(111) — •Christian Manke, Yvonne Bodschwinna-Kangarakis und Max Schulz — Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg

Die Streuung von Elektronen (< 1eV) in ultradünnen Au-Filmen (5nm - 35nm) wurde mit Ballistischer Elektronen Emissions Mikroskopie analysiert. Das Abklingen des, mit Hilfe eines Rastertunnelmikroskops injizierten, Elektronenstrahls wird in Abhängigkeit von der Metallfilmdicke für das Schottkybarrieren-System Au/Si(111) gemessen. Die Dämpfung des Elektronenstrahls im Metallfilm ist überexponentiell. Vielfachreflexion im Metallfilm führt zu erhöter Transmission bei niedriger Au-Schichtdicke (< 15nm). Die Form der gemessenen Emissionsstromkennlinien ist schichtdickenunabhängig. Monte-Carlo-Simulationen zeigen, daß die Skalierbarkeit der Emissionskennlinien durch Vielfachreflexion von Elektronen in der Au-Schicht und durch laterale Diffusion im dicken Au-Film entsteht.