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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.90: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Lokales Schreiben von ultradünnen PtSi-Filmen auf Si mit einem fokussierten Laserstrahl — •C.R. Schwarz¹, V. Demuth², R. Schmiedl³ und M. Schulz¹ — ¹Lehrstuhl Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr.7, 91058 Erlangen — ²Lehrstuhl Mikrocharakterisierung, Universität Erlangen-Nürnberg — ³Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg

Ultradünne Platinfilme (d=2-5 nm) werden durch Elektronenstrahlverdampfung gleichförmig auf Si(100) aufgebracht und anschließend mit einem fokussierten Ar-Ionenlaser (λ=514 nm) lokal zu PtSi siliziert. Die lokale Siliziertemperatur wird mit Hilfe einer gekühlten CCD-Kamera bestimmt, die im nahen Infrarot betrieben wird. Da die silizierten und die unsilizierten Pt-Bereiche eine unterschiedliche Schottky-Barrierenhöhe (SBH) aufweisen, lassen sich die erzeugten PtSi-Strukturen durch Messung des lokalen Infrarot-Photostroms als Funktion des Ortes (IR-OBIC) sichtbar machen. Die gemessenen lokalen PtSi-Materialeigenschaften sind vergleichbar mit den Eigenschaften von PtSi, das mittels Kurzzeittempern (RIA) oder im Ofen hergestellt worden ist. Die SBH der laser-silizierten Bereiche ist Φ_B = 225 meV für PtSi auf p-Si. AES- und TEM-Messungen bestätigen die Silizierung von Pt zu PtSi.