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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.91: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Charakterisierung von Dangling-Bond Defekten am Si/SiO₂-Interface — •Jürgen Albohn, N.D. Sinh, K. Kliefoth und W. Füssel — Hahn-Meitner-Institut Abt. Photovoltaik Rudower Chaussee 5 12489 Berlin

Unter Anwendung der neu entwickelten Modulations-CV-Methode und Photokapazitätsmessungen sind wir in der Lage, sehr kleine Besetzungsänderungen von Interfacezuständen (bis zu 6000 Elementarladungen) kapazitiv zu detektieren. Aus dem transienten Anklingverhalten der Kapazität bei Beleuchtung mit Photonenenergien hν ≤ E_g werden optische Wirkungsquerschnitte von DB-Defekten bestimmt. Parallel dazu bestimmen wir mit der Modulations-CV die thermischen Einfangquerschnitte dieser Grenzflächenzustände. Ein entscheidender Vorteil der Methode gegenüber DLTS ist die Messung der charakteristischen Emissions- bzw. Einfangszeiten der Defekte im Fourierraum. Wir erhalten so charakteristische Debyekurven im Frequenzspektrum. Eine Verteilung von Zeitkonstanten aufgrund unterschiedlicher Wirkungsquerschnitte von Defekten gleicher energetischer Lage in der Energielücke bzw. aufgrund von Potentialfluktuationen, die zu einer Verbreiterung der Debyekurven führt, ist mit dieser Methode besser auflösbar.