Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.93: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

STM- und BEEM- Messungen an UHV-präparierten Siliziden — •Y. Bodschwinna-Kangarakis und M. Schulz —
Lehrstuhl Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg
Staudtstr.7, 91058 Erlangen

Mit Ballistischer Elektronen-Emissions-Mikroskopie (BEEM) wird die Streuung an einer Metall/Metall-Doppelschicht Grenzfläche am System Au(5nm)/CoSi₂(5nm)/Si untersucht. Für das Cobaltdisilizid stehen durch unterschiedliche Herstellungsbedingungen auf Silizium eine inhomogene und eine homogene Schottky-Barrieren-Verteilung zur Verfügung, um die räumliche Auflösung der ballistischen Elektronenmikroskopie zu testen. Durch Streuung an der Metall/Metall-Grenzfläche entsteht eine Strahlaufweitung, die die Auflösung bei der Ballistischen-Elektronen-Emissions-Mikroskopie (BEEM) durch das Doppelschichtsystem auf ca. 10nm eingeschränkt, was in etwa der Dicke der Metalldoppelschicht entspricht. Weitere in-situ Messungen an UHV-hergestellten Siliziden werden gezeigt.