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HL: Halbleiterphysik

HL 13: Heterostrukturen

HL 13.6: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 11:45–12:00, H1

Banddiskontinuitäten an GaAs/InP Heteroübergängen — •C. Daniels, C. Ohler, C. Ungermanns, A. Förster und H. Lüth — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich

Mittels Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS) wurde die Valenzbanddiskontinuität für den Heteroübergang GaAs/InP anhand von Proben aus metallorganischer Molekularstrahlepitaxie (MOMBE) in situ bestimmt. Die Untersuchungen erfolgten hinsichtlich der Fragestellungen, inwieweit atomar verschiedene Grenzflächen und unterschiedliche Verspannungen Einfluß auf die Höhe der Banddiskontinuität ausüben. Für die Heterostruktur GaAs auf InP(100) ergab sich ein Bandoffset von 560 ± 60 meV, unabhängig von der atomaren Zusammensetzung der Grenzfläche. Mittels einer Untersuchung der umgekehrten Wachstumsfolge wurde der Einfluß der Verspannung charakterisiert. Hier ergab sich für InP auf GaAs(100) ein Wert von 80 ± 60 meV. Die Ergebnisse zeigen, daß die Banddiskontinuität von GaAs/InP deutlich verspannungsabhängig, jedoch unabhängig von der atomaren Grenzflächenzusammensetzung ist. Die experimentellen Ergebnisse stimmen sehr gut mit theoretischen Resultaten überein. Das aufgrund der Gitterfehlanpassung und der Epitaxie aus Gasquellen recht komplizierte System ist somit hinsichtlich des Bandoffsets vollständig charakterisiert.