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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Si/Ge I

HL 14.3: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 11:00–11:15, H2

Neuartiger metastabiler Ordnungszustand an einer unverspannten SiGe-Schicht — •H. Reichert^1,2, S.C. Moss² und K. Evans-Lutterodt³ — ¹Institut für Materialwissenschaften, Bergische Universität Wuppertal — ²Department of Physics, University of Houston, Houston, TX 77204 — ³Lucent Technologies, Murray Hill, NJ

Es wurde die chemische Ordnung eines 3500Å dicken Si_0.45Ge_0.55 Legierungsfilmes mit Hilfe von Röntgenstreuung untersucht. Die Filme wurden mit CVD bei 625^oC auf Si(001) Substrate aufgewachsen. Neben den Reflexen, die einer RS3-Überstruktur zugeordnet werden, treten zusätzliche Reflexe einer neuartigen Schichtstruktur senkrecht zur Oberfläche auf. Es wird gezeigt, daß diese Schichtstruktur an der Oberfläche des Legierungsfilmes lokalisiert ist. Heizen der Proben im UHV bei 750^oC für 15 Minuten zerstört diesen Oberflächenordnungszustand irreversibel, wobei die RS3-Überstruktur von der Temperaturbehandlung unbeeinflußt bleibt.