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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Si/Ge I

HL 14.4: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 11:15–11:30, H2

Die Untersuchung verspannter Silizium-Germanium-Schichten mit dem Rasterelektronenmikroskop — •M. Grimm, B. Holländer, S. Mantl und L. Vescan — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich

Es wurde die tetragonale Verzerrung elastisch verspannter Silizium-Germanium-Schichten auf (001)-Silizium mit Hilfe der Methode des ’selected area electronic channelling pattern’ (’SAECP’) im Rasterelektronenmikroskop untersucht. Daneben erfolgte eine Bestimmung derselben Größe durch He-Ionen-Channelling und Röntgenbeugung. Die Ergebnisse mit ’SAECP’ werden diskutiert und mit denen der beiden anderen Methoden verglichen.