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HL: Halbleiterphysik
HL 14: Si/Ge I
HL 14.5: Vortrag
Dienstag, 18. März 1997, 11:30–11:45, H2
Bestimmung der Aktivierungsenergie f"ur heterogene Nukleation von Misfit-Versetzungen in Si1−xGex/Si — •S. Wickenh"auser, L. Vescan, C. Dieker, K. Schmidt, and H. L"uth — Institut f"ur Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum J"ulich GmbH, D-52425 J"ulich
Mittels selektiver Epitaxie wurden bei einer Wachstumstemperatur von 700∘C Si0,84Ge0,16/Si Heterostrukturen mit verschiedenen lateralen Abmessungen (10-300µm) und verschiedenen Schichtdicken hergestellt und im Hinblick auf plastische Relaxation durch die Bildung von Misfit-Versetzungen untersucht. W"ahrend in kleinen Strukturen (10-30µm) der Relaxationsproze"s erst begonnen hat (es dominieren Nukleation und Bewegung der Versetzungen), hat in den gr"o"seren Strukturen Wechselwirkung (haupts"achlich Multiplikation) eingesetzt. Man erreicht so f"ur jede Schichtdicke einen unterschiedlichen Relaxationsgrad. Dies erm"oglicht die unterschiedlichen Stadien der Relaxation zu untersuchen und die Mechanismen wie Nukleation, Bewegung der Versetzungen und Multiplikation einzeln zu betrachten. Aus der Analyse der Misfit-Versetzungsdichte im Anfangsstadium war es m"oglich die Nukleationsquellendichte und eine Aktivierungsenergie der Versetzungen von 2,8 eV zu bestimmen.