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HL: Halbleiterphysik
HL 14: Si/Ge I
HL 14.6: Vortrag
Dienstag, 18. März 1997, 11:45–12:00, H2
Zinkkorrelierte Störstellen in Si1−xGex–Legierungen — •S. Voß, H. Bracht, N.-A. Stolwijk und H. Mehrer — Institut für Metallforschung, Universität Münster, Wilhelm–Klemm–Straße 10, D-48149 Münster
Das vollständig mischbare System SiGe eröffnet sowohl Halbleiteranwendungen als auch der Grundlagenforschung neue Möglichkeiten. Die hier vorgestellten Ergebnisse stellen einen ersten Schritt zur Klärung der Frage dar, wie sich der Übergang des tiefen Doppelakzeptors Zn in Si mit Energieniveaus von 0,3 eV und 0,6 eV oberhalb der Valenzbandkante EV zu dem flachen Doppelakzeptor Zn in Ge mit Energieniveaus EV+0,035 eV und EV+0,095 eV vollzieht. Die Untersuchungen wurden auf der Si–reichen Seite an SiGe n+p–Strukturen durchgeführt. Nach Eindiffusion von Zn wurden die elektrischen Eigenschaften von Zn in SiGe mittels DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) charakterisiert, und systematische Änderungen der Energieniveaus mit steigendem Ge–Gehalt beobachtet. Die gemessenen Zn–Spektren zeigen eine starke Abhängigkeit von der thermischen Vorbehandlung und deuten damit auf eine mögliche Komplexbildung zwischen Zn und anderen Fremdatomen hin. Um den Einfluß der für die Diffusion notwendigen Temperaturbehandlungen abzuschätzen, wurden Referenzmessungen an undiffundierten Proben durchgeführt.