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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Si/Ge I

HL 14.8: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 12:15–12:30, H2

Laterale and vertikale Ordnung selbst-organisierter SiGe-Inseln auf Si(001) — •P. Schittenhelm¹, G. Abstreiter¹, A. Darhuber², G. Bauer², P. Werner³ und A. O. Kosogov³ — ¹Walter Schottky Institut der TU München, Am Coulombwall, D-85748 Garching — ²Inst. Halbleiterphysik, Univ. Linz, A-4040 Linz — ³Max-Planck-Institut f. Mikrostrukturphysik, D-06120 Halle

Stranski-Krastanow Wachstum in Halbleiter-Heterostrukturen ist gegenwärtig einer der meistverfolgten Ansätze zur Herstellung selbst-organisierter Nanostrukturen. Unser Beitrag befaßt sich mit dem Wachstum von Ge auf Si(001), eines der Materialsysteme, für die selbst-organisiertes Inselwachstum beobachtet wurde. Wir untersuchen die Ausbildung vertikaler und lateraler Korrelation von Ge-Inseln in periodischen Si/Ge-Insel/Si-Heterostrukturen in Abhängigkeit von der Si-Schichtdicke mittels Raster-Kraftmikroskopie, Transmissions-Elektronenmikroskopie und Röntgenbeugungsexperimenten.
Zusätzlich zu den räumlichen Korrelationseffekten ergibt sich auch eine wesentlich schmalere Größenverteilung der Ge-Inseln in der obersten Lage von Mehrfach-Schichtsystemen gegenüber Einzelschichten.