Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 15: STM
HL 15.3: Talk
Tuesday, March 18, 1997, 11:00–11:15, H3
Analyse von Nanostrukturen integrierter Schaltungen mittels Rasterkapazitätsmikroskopie — •A. Born und R. Wiesendanger — Institut für Angewandte Physik und Mikrostrukturzentrum, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11 a, D-20355 Hamburg
Heutige integrierte Schaltungen (IC) besitzen minimale Strukturen von
350 nm. Labormuster haben jedoch schon die 100 nm-”Grenze” unterschritten.
Bei diesen Größenverhältnissen wird der genaue Verlauf des
Dotierungsprofils immens wichtig.
Um solche Messungen durchzuführen, wurde ein Rasterkraftmikroskop (RKM)
mit einem Kapazitätssensor zu einem Rasterkapazitätsmikroskop (RKaM)
kombiniert. Der Sensor besitzt eine spektrale Rauschdichte von 0.001 aF/
√Hz
und ermöglicht die Bestimmung von Dotierungen im Bereich von
10−15 cm−3 bis 1020 cm−3 mit einer lateralen Auflösung
von bis zu 20 nm.
Vorgestellt werden erste Ergebnisse zur Analyse von IC-Dotierungsstrukturen,
wobei speziell die dabei auftretenden Probleme bei Messungen mit einem
RKaM diskutiert werden. Hierzu gehören insbesondere das Messen von CV-Kurven
und deren Analyse.