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HL: Halbleiterphysik
HL 15: STM
HL 15.4: Talk
Tuesday, March 18, 1997, 11:15–11:30, H3
SNOM-Raman Untersuchungen an Halbleiter-Heterostrukturen — •M. Götz, D. Drews, R. Wannemacher und D..R.T. Zahn — Institut für Physik, Technische Universität Chemnitz, D-09107 Chemnitz
Ein von uns aufgebautes optisches Nahfeldmikroskop (Sanning Near-Field Optical Microscope, SNOM) wurde an ein kommerzielles Ramanspektrometer bestehend aus einem Triple-Monochromator und einer CCD-Kamera für Vielkanaldetektion angeschlossen. Für die Detektion von inelastisch gestreutem Licht aus dem Nahfeld der Probe wurde eine mit Aluminium beschichtete Glasfaserspitze verwendet, während das Anregungslicht (λ=457.9nm) mit einer Linse auf die Probenoberfläche fokussiert wurde. Mit dieser Anordnung wurden Ramanspektren von ZnSe/ GaAs(100)-Heterostrukturen aufgenommen, die senkrecht zur Grenzfläche gespalten wurden. Bei Integrationszeiten von ca. 10min zeigen die Ramanspektren deutliche Strukturen bei 250cm−1 und 500cm−1, die durch Streuung erster und zweiter Ordnung am longitudinal optischen (LO) Phonon von ZnSe verursacht werden, sowie einen Untergrund von bandkantennaher Lumineszenz.