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HL: Halbleiterphysik
HL 18: II/VI-Halbleiter
HL 18.1: Talk
Tuesday, March 18, 1997, 16:00–16:15, H1
"Anderung der lokalen Struktur von A-Zentren in n-dotierten II-VI-Halbleitern — •D. Weber, T. Filz, J. Hamann, St. Lauer, V. Ostheimer, H. Wolf, and Th. Wichert — Technische Physik, Universit"at des Saarlandes, 66041 Saarbr"ucken
Mit der gest"orten γγ-Winkelkorrelation (PAC) wurden in II-VI Halbleitern Defekte untersucht, die bei hoher Donatorkonzentration Donator-Akzeptor Paare mit den eingebrachten 111In-Atomen bilden. Dazu wurden ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, CdS, CdSe und CdTe Einkristalle durch Diffusion mit radioaktivem und stabilem In dotiert. Daneben wurden epitaktische CdTe-Schichten untersucht, deren In-Konzentration w"ahrend des MOCVD-Wachstums zwischen 1015 cm−3 und 1020 cm−3 variiert wurde. Die PAC-Messungen mit der Sonde 111In zeigen in Kristallen mit erh"ohter In-Konzentration ( [In] > 1018 cm−3) neue Defektstrukturen, deren elektrische Feldgradienten verschieden von denen sind, die in fr"uheren Experimenten f"ur A-Zentren beobachteten wurden. Es wird gezeigt, da"s zwischen den neuen Defektstrukturen und den A-Zentren ein enger Zusammenhang besteht. In ZnS- und ZnSe-Kristallen konnte durch Variation der Me"stemperatur im Bereich von 10 K bis 500 K eine reversible Umwandlung zwischen dem A-Zentrum und dem neuen Defektkomplex beobachtet werden. Dabei wird generell bei tiefen Temperaturen (10 K) die Bildung der neuen Defektstruktur und bei h"oheren Temperaturen (> 300 K) die des A-Zentrums bevorzugt. Strukturelle und elektronische Modelle zur Erkl"arung des neuen Defektkomplexes werden diskutiert.