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HL: Halbleiterphysik
HL 18: II/VI-Halbleiter
HL 18.2: Talk
Tuesday, March 18, 1997, 16:15–16:30, H1
Simultane Beobachtung des Einbaus von Gruppe VII- und Gruppe III-Donatoren in ZnSe und CdTe — •H. Wolf1, T. Filz1, J. Hamann1, St. Lauer1, V. Ostheimer1, Th. Wichert1, A. Burchard2, and D. Forkel-Wirth2 — 1Technische Physik, Universit"at des Saarlandes, D-66041 Saarbr"ucken — 2PPE-ISOLDE, Cern, CH-1211 Genf
Zur Untersuchung der Kompensation von Br- und In-Donatoren durch
Paarbildung mit
akzeptorartigen Defekten wurden in ZnSe und CdTe PAC-Experimente an
Kristallen
durchgef"uhrt, die gleichzeitig mit den radioaktiven Isotopen 77Br
und 111In dotiert waren. Die
Dotierung mit 111In erfolgte durch Diffusion ([111In]
≈ 1016 cm−3), die mit 77Br durch
anschlie"sende Implantation am Massenseparator ISOLDE ([77Br]
≈ 1018 cm−3). F"ur die
Untersuchungen wurden Kristalle sowohl ausschlie"slich mit den radioaktiven
Donatoren als auch
zus"atzlich mit stabilen In-Donatoren ([In] ≈ 1019 cm−3)
dotiert. Nach Tempern der Kristalle
(CdTe: 700 K, ZnSe: 800 K) zeigen die Anteile der gebildeten
InM−VM und BrX−VM Paare eine st"arkere Kompensation f"ur
Br- als f"ur In-
Donatoren, speziell in den hoch n-dotierten Kristallen. F"ur hoch
n-dotiertes ZnSe wird im Rahmen
des durchgef"uhrten Temperprogramms eine Zunahme kompensierter Br-Donatoren
bei
gleichzeitiger Abnahme kompensierter In-Donatoren beobachtet. Ein
Zusammenhang mit der
thermische Stabilit"at von BrX−VM und InM−VM Paaren wird
diskutiert.
Gef"ordert durch das BMBF, Projektnummer WI04SAA