Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 18: II/VI-Halbleiter

HL 18.3: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 16:30–16:45, H1

MOVPE von ZnMgSSe-Heterostrukturen für optisch gepumpte Laser — •H. Kalisch¹, M. Lünenbürger¹, H. Hamadeh¹, J. Müller¹, J. Woitok² und M. Heuken¹ — ¹Institut für Halbleitertechnik, RWTH Aachen — ²I. Physikalisches Institut, RWTH Aachen

Zur Herstellung von Zn(MgS)Se-Heterostrukturen für die Optoelektronik im blauen Spektralbereich ist die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) ein vielversprechendes Verfahren. Eine neuartige Quellenkombination für die Abscheidung von ZnMgSSe erlaubt die Herstellung von Schichten mit reproduzierbarer Zusammensetzung und guter kristalliner Qualität. Heterostrukturen wie Ein- und Mehrfach-Quantentöpfe aus Zn(MgS)Se wurden pseudomorph auf GaAs abgeschieden und mittels Röntgenbeugungs-, Photolumineszenz- und Photolumineszenzanregungsmessungen charakterisiert. Die Einflüsse von Wachstumspausen und Interface-Stabilisierungen auf die optischen und strukturellen Eigenschaften wurden analysiert. Neben den Ergebnissen der Röntgenbeugungsmessungen zeigen auch die Photolumineszenzemissionen aus den Quantentöpfen und Barrieren eine starke Abhängigkeit von diesen Wachstumsparametern; energetische Verschiebungen sowie Doppellinien mit verschiedenen Intensitätsverhältnissen in den PL-Spektren können beobachtet werden. Als Ursachen werden Verschleppung von Mg oder S in die Quantentöpfe, Instabilitäten der Quellen mit der Folge von vertikalen Inhomogenitäten in der Zusammensetzung und lokalisierte Zustände an den Heterogrenzflächen diskutiert.