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HL: Halbleiterphysik

HL 19: Si/Ge II

HL 19.3: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 16:30–16:45, H2

Si-SiGe Tunnelstrukturen — •F. Findeis, C. Engel, P. Schittenhelm und G. Abstreiter — Walter Schottky Institut der TU München, Am Coulombwall, D-85748 Garching

Zur Realisierung von Tunnelbauelementen auf Si-Basis wurde selbstorganisiertes Wachstum von Ge-Inseln ausgenützt.
Die Proben wurden mittels MBE im kohärenten Stranski-Krastanow Wachstumsmodus hergestellt. Die dabei entstehenden Ge-Inseln liegen im Bereich eines hochdotierten pn-Übergangs. So wird die erhöhte Wahrscheinlichkeit für das Interbandtunneln von Ladungsträgern in Germanium ausgenützt, während der Prozeß in die herkömmliche Siliziumtechnologie integrierbar ist.
Anhand von Strom-Spannungskennlinien und deren Ableitung wurde der Einfluß von Wachstumsparametern wie Substrattemperatur und Dotierkonzentration des p- und n-Bereiches untersucht. Der Vergleich mit Referenzproben und temperaturabhängigen Messungen im Bereich zwischen 4.2 K und 300 K zeigen eine deutliche Erhöhung des Tunnelstroms in den Proben mit Ge-Inseln.