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HL: Halbleiterphysik

HL 19: Si/Ge II

HL 19.7: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 17:30–17:45, H2

Optimierung von Ge-Profilen in SiGe-HBT durch Simulation des Kleinsignalverhaltens — •H. Förster, D. Nuernbergk, F. Schwierz, G. Paasch und M. Roßberg — Institut für Festkörperelektronik, Technische Universität Ilmenau, PF 100565 , D-98684 Ilmenau

Der SiGe-Heterobipolartransistor ist ein Bauelement von großem Interesse, da er die herkömmliche Siliziumtechnologie und die Möglichkeit größerer Verarbeitungsgeschwindigkeiten miteinander verbindet. Um eine optimale Arbeitsgeschwindigkeit des Transistors zu erhalten, ist eine Optimierung des Ge-Profils in der Basis notwendig. Durch Simulation des Kleinsignalverhaltens verschiedener Transistoren mit unterschiedlichem Profil ist es möglich, den Einfluß des Germaniumgehaltes und desGermaniumgradienten auf die elektrischen Parameter zu untersuchen. Aufgrund der geringen Basisweiten wurden Simulationen mit demEnergietransportmodell durchgeführt um den nichtstaionären Transport von Ladungsträgern zu berücksichtigen. Der Vergleich zwischen Messungen und Simulationen macht deutlich, daßfür die Berechnung von SiGe-HBT die Berücksichtigung des Energietransportes notwendig ist.Die Unterschiede in den Ergebnissen zwischen Drift-Diffusions-Modell und Energietransportmodell werden dargestellt und optimale Ge-Profilebezüglich des Kleinsignalverhaltens gezeigt.