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HL: Halbleiterphysik

HL 19: Si/Ge II

HL 19.9: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 18:00–18:15, H2

Photoleitung an Si/Ge–Buffern, -Übergittern und -Multi Quantum Wells — •R. Joswig, D. Menzel, K. Dettmer und J. Schoenes — Institut für Halbleiterphysik und Optik, TU Braunschweig, Mendelssohnstraße 3, 38106 Braunschweig

Untersucht wurden mittels MBE gewachsene Si/Ge–Buffer, -Übergitter und -Multi Quantum Wells. Durch Ätzen wurden Strukturen hergestellt und nachträglich kontaktiert, so daß separat die Epitaxieschicht und das Si–Substrat photoelektrisch im Spektralbereich zwischen 0.8 eV und 2.0 eV vermessen werden können. Dadurch gelingt die Dekomposition des Photoleitungsspektrums in die den Schichten zugehörigen Bandkanten. Diskutiert wird ferner das Fehlen negativer Photoleitungsanteile, die vordem an anderen Proben zu finden waren [1]–[3].

[1] M. Arndt, W. Koschinski, K. Dettmer, F. R. Kessler, H. J. Kriks, Appl. Phys. Lett. 67 (5), 644 (1995)

[2] D. Menzel, W. Koschinski, K. Dettmer, J. Schoenes, Verhandl. DPG (VI) 31, 1205 (1996)

[3] D. Menzel, W. Koschinski, K. Dettmer, J. Schoenes, J. Appl. Phys., zur Publikation eingereicht