Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Störstellen I

HL 2.1: Talk

Monday, March 17, 1997, 10:30–10:45, H1

Wasserstoffpassivierung von Cd-dotiertem GaAs und InP — •A. Stötzler, A. Burchard, M. Deicher, R. Magerle und A. Prospero — Fakultät für Physik, Universität Konstanz, D-78434 Konstanz

Wir haben den Einfluß der H-Passivierung (durch Implantation mit 100 eV bei 328 K) auf die Photolumineszenz (PL) bei 4 K von GaAs und InP, das homogen oder durch Implantation mit Cd dotiert war, untersucht. Ziel war, mit PL-Messungen die Stabilität von Akzeptor-H-Paaren zu bestimmen.
Die Ergebnisse zeigen, daß in GaAs die Intensität der (e,Cd)-Linie proportional zur Cd-Akzeptorkonzentration ist. Die (e,Cd)-Intensität nimmt nach der H-Beladung ab und nach Tempern auf mehr als 425 K wieder zu. Dies entspricht einer Dissoziationsenthalpie von Cd-H-Paaren von 1.31(3) eV, was sehr gut mit dem in PAC-Experimenten an ^111mCd-implantiertem GaAs gefundenen Wert (1.35(1) eV) übereinstimmt.
In InP dagegen passiviert H nichtstrahlende Rekombinationszentren, was zu einer Zunahme der (D,Cd)-Rekombination führt, obwohl aus PAC-Experimenten bekannt ist, daß unter diesen Bedingungen bis zu 80% aller Cd-Akzeptoren Cd-H-Paare bilden. Außerdem führt die H-Beladung zum Verschwinden einer breiten PL-Bande um 1.3 eV, die oft in p-Typ InP beobachtet wird. Durch Tempern können diese beiden Effekte rückgängig gemacht werden und wir vergleichen dies mit der in PAC-Experimenten bestimmten Stabilität von Cd-H-Paaren in InP.