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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Störstellen I
HL 2.3: Talk
Monday, March 17, 1997, 11:00–11:15, H1
Gespeicherte Photoströme in bestrahlten Halbleitern bei 300oK — •D.E. Theodorou, G.E. Zardas, P.C. Euthymiou und Ch.I. Symeonides — Festkörperphysikabteilung, Universität Athen, GR 157 71, Zografou
In mit α-Partikeln bestrahlten GaP-Proben bilden sich Defektcluster, die eine gespeicherte Photoleitfähigkeit induzieren können. Diese gespeicherte Photoleitfähigkeit wurde zum ersten Mal auch bei 300oK beobachtet und nicht nur bei tiefen Temperaturen wie üblich. Das Anklingen und das Abklingen des gespeicherten Photostromes wurde als Funktion der Zeit gemessen. Die experimentellen Resultate wurden mit Hilfe des Modells von Potentialbarrieren an den Defektclustern erklärt, die die Rekombination der Ladungsträger verhindern. Ähnliche Resultate kann man auch bei anderen Halbleitern mit einer grossen Energielücke erwarten. Die Möglichkeit von technischen Anwendungen ist offensichtlich.