Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Störstellen I
HL 2.4: Talk
Monday, March 17, 1997, 11:15–11:30, H1
GaAs-Antisite-Defekte in GaAs durch Umwandlung von radioaktivem 71AsAs zu stabilem 71GaAs — •R. Magerle1, A. Burchard1, M. Deicher1, D. Forkel-Wirth2, A. Prospero1 und A. Stötzler1 — 1Fakultät für Physik, Universität Konstanz, D-78434 Konstanz — 2ISOLDE-Kollaboration, CERN, CH-1211 Genf 23
Wir haben GaAs mit radioaktivem 71As durch Ionenimplantation dotiert. 71As besetzt As-Plätze, wandelt sich dann über die Zerfallsreihe 71AsAs, 71GeAs, 71GaAs zu stabilem 71Ga um und erzeugt auf diese Weise GaAs-Antisite-Defekte. Diese Elementumwandlung wurde mit Photolumineszenzspektroskopie verfolgt. Zunächst nimmt durch den Zerfall von 71AsAs zu 71GeAs die Intensität der (e,GeAs)-Linie bei 1.479 eV zu, da 71GeAs-Akzeptoren gebildet werden. Danach nimmt die Intensität dieser Linie mit der Halbwertzeit von 71GeAs (11.2 d) ab. Dies bestätigt die Zuordnung der 1.479 eV-Line zum Akzeptorzustand von GeAs und zeigt, daß sich alle 71GeAs-Akzeptoren zu 71GaAs-Antisite-Defekten umgewandelt haben. Interessanterweise unterscheiden sich dann aber die Spektren der mit GaAs-Antisites dotieren GaAs-Proben kaum von solchen, die nur getempert und nicht implantiert wurden. Insbesondere sehen wir in unseren Proben nicht die Linien, die häufig in Ga-reichem GaAs beobachtet und daher meist den beiden Ladungszuständen von GaAs zugeordnet werden [1]. Unsere Ergebnisse zeigen vielmehr, daß diese Zuordnungen nicht korrekt sein können.
[1] siehe z.B. P. W. Yu, et al., Semicond. Sci. Technol. 7, 556 (1992)