Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 2: Störstellen I

HL 2.5: Talk

Monday, March 17, 1997, 11:30–11:45, H1

Zusammenbruch von Schottky-Kontakten auf mittelohmigem GaAs, induziert durch thermische Emission tiefer Störstellen — •M. Lisker¹, A. Krtschil¹, H. Witte¹, J. Christen¹, M. Jurisch² und U. Kretzer² — ¹Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke Universität Magdeburg, PO Box 4120, 39016 Magdeburg — ²Freiberger Compound Materials GmbH, Berthelsdorfer Str. 113, 09599 Freiberg

Undotiertes und sauerstoffdotiertes GaAs weist bei entsprechender Einstellung des Kompensationsgleichgewichtes, welches nicht zu halbisolierendem Verhalten führt, eine Ladungsträgerkonzentration von 10¹¹ cm⁻³ und hohe Beweglichkeiten der Ladungsträger auf. Dieses Verhalten wird durch mitteltiefe Störstellen bestimmt.Zum Nachweis dieser Störstellen mit Hilfe der Methode der Thermisch Stimulierten Ströme (TSC) und der Thermischen Admittanzspektroskopie (TAS) werden Raumladungen benötigt, die durch Schottkykontakte realisiert werden. Als Kontaktmaterialien kamen neben thermisch verdampftem Au auch gesputtertes Ni und Pt zur Anwendung. Die ohmschen Kontakte wurden durch legierte Ni/Ge/Au-Schichtsysteme gebildet. Es konnte festgestellt werden, daß die Raumladungen durch tiefe Störstellen im Volumenmaterial dominiert sind. Mittels frequenzabhängiger C-V-Spektroskopie ließ sich das Zusammenbrechen der Raumladung bei Frequenzen nachweisen, die der maximalen Emission eines Elektronentraps bei Raumtemperatur mit einer Aktivierungsenergie von 0.59 eV entspricht.