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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Störstellen I
HL 2.8: Talk
Monday, March 17, 1997, 12:15–12:30, H1
Untersuchung von Leerstellendefekten in LT-GaAs mit Hilfe der Positronenstrahltechnik — •J. Gebauer1, R. Krause-Rehberg1, W. Bauer-Kugelmann2, G. Kögel2, M. Luysberg3 und E.R. Weber3 — 1Martin-Luther-Universität Halle, FB Physik, 06108 Halle — 2Universität der Bundeswehr, 85577 Neubiberg — 3Dep. of Mater. Science, Univ. of California, Berkeley
Die Eigenschaften von epitaktischen Schichtem von GaAs, gewachsen bei niedriger Temperatur (LT-GaAs), werden wesentlich durch die vorhandenen Punktdefekte bestimmt. Es wurden umfangreiche Positronenstrahluntersuchungen an LT-GaAs Schichten, gewachsen im Temperaturbereich von 200-400∘C, durchgeführt. Es wird eine ansteigende Dichte von Leerstellen mit sinkender Wachstumstemperatur beobachtet, die Leerstellenkonzentration erreicht eine Größenordnung von 1018 cm−3. Es wird geschlußfolgert, daß es sich hauptsächlich um Ga-Vakanzen handelt. Isochronale Ausheiluntersuchungen wurden bis zu einer Temperatur von 600∘ C durchgeführt. Dabei wurde mit Positronen ein Anstieg der Defektdichte gefunden, der von einer Änderung des Defekttyps bei einer Ausheiltemperatur zwischen 400 und 500 ∘C begleitet wird. Dieses Verhalten wird durch Bildung von Arsen-Ausscheidungen erklärt, die mittels korrelierter TEM Untersuchungen charakterisiert wurden.