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HL: Halbleiterphysik

HL 20: HL-Laser

HL 20.10: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 18:15–18:30, H3

Untersuchungen zur epitaktischen Vertikalstruktur von AlGaInP-Laserdioden bei 630 nm — •V. Frey, R. Winterhoff, J. Kuhn, H. Schweizer, and F. Scholz — 4. Physikalisches Institut, Universit"at Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70550 Stuttgart

Halbleiterlaser um 630nm sind f"ur eine Vielzahl von Anwendungen interessant, da sie z.B. eine Alternative zu HeNe-Gaslasern sind. Die 630nm-Laserdioden k"onnen auch als Rot-Komponente f"ur das Laser-TV eingesetzt werden,falls es gelingt, die Leistung zu steigern. Ein Hauptproblem besteht darin,den parasit"aren Leckstrom "uber die Heterobarriere zu minimieren, um das thermische Verhalten zu verbessern. Um die Barriere m"oglichst gro"s zu machen haben wir AlInP als Mantelmaterial verwendet. Ein Ziel unserer Untersuchungen besteht darin, den Einflu"s der p-Dotierung in der AlInP-Mantelschicht auf den Schwellstrom zu studieren. Hierbei wird auch das Diffusionsverhalten des Dotierstoffes Mg mittels SIMS untersucht. Die aktive Schicht der Laserdioden besteht aus einem tensil verspannten GaInP-SQW,gewachsen mittels MOVPE. Die Laser wurden als 16µm-Oxidstreifen prozessiert. Es wurden Schwellstromdichten von 1,5 kA/cm² und Quantenausbeuten von 15% bei Raumtemperatur erzielt.