Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 20: HL-Laser

HL 20.12: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 18:45–19:00, H3

Antireflexbeschichtete Bleichalkogenid Laserdioden — •H. Schlegelmilch, Th. Beyer, A. Lambrecht und M. Tacke — Fraunhofer Institut physikalische Messtechnik, Heidenhofstr. 8, D-79110 Freiburg im Breisgau

Mit Laserspektroskopie im mittleren Infrarot(MIR) können viele Gase mit hoher zeitlicher Auflösung und niedrigen Nachweisgrenzen gemessen werden. Um kontinuierlich abstimmbare Lichtquellen mit Hilfe externer Resonatoren zu realisieren, ist eine Antireflex(AR)- Beschichtung von Laserdioden notwendig. Die im MIR emittierenden Bleichchalkogenid-Diodenlaser werden bei tiefen Temperaturen betrieben. Dies erschwert den Einsatz von AR-Schichten. Mit den Materialien ZnSe, ZnS, und amorphem Se wurden AR-Schichten auf Bleichalkogenidlasern durch thermisches Verdampfen hergestellt. Die Schichtdicken wurden für die gewünschte Emissionswellenlänge der Laser optimiert. Die Ergebnisse wurden mit Modellrechnungen für ebene Wellen sowie für die Modenreflektivität verglichen. Dabei zeigte sich, dass bereits die einfache Theorie ebener Wellen die experimentellen Ergebnisse gut beschrieb. Restreflektivitäten von unter ein Prozent konnten erzielt werden. Durch die AR-Beschichtung konnte eine erhebliche Steigerung der Emissionsleistung erreicht werden. Thermische Zyklierversuche belegen, dass ein stabiler Betrieb mit entspiegelten Laserdioden möglich ist.